中大、データの1000年記憶を目指してSSDのエラーを80%低減する技術を開発 2014/06/13
http://news.mynavi.jp/news/2014/06/13/536/

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中央大学(中大)は6月13日、データの長期保存を目指して、フラッシュメモリを記憶媒体とするSSDのエラーを80%低減する技術を開発したと発表した。

同成果は、同大 理工学部の竹内健教授によるもの。詳細は、6月10～12日(現地時間)にハワイにて開催される「2014 VLSI Technology シンポジウム」で発表される。

インターネットの発達で音楽、映像、文書などのデジタルデータが急増している。しかし、データを100年、1000年先まで長期保存するメモリ技術は確立されていない。従来は1つのメモリセルに記憶する状態の数を増加させると信頼性が劣化し、信頼性を確保するには強力な誤り訂正回路が必要だった。しかし、誤り訂正システムを強化すると、冗長なメモリ領域が必要になり、コストが増大しまうという問題があった。今回の研究では、長期保存に向けて3ビット(8値)セルのうち、7個の状態に記憶する手法であるnLCセル方式を提案した。

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