理系にゅーす

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半導体

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1: エタ沈φ ★＠＼(^o^)／ 2014/06/14(土) 13:12:37.40 ID:???.net
東芝は水晶発振器に匹敵する精度を持つシリコン半導体製の発振器を開発した。水晶発振器に比べて約３分の１の小型化が見込めるうえ、ほかの部品との一体集積化が可能になる。
開発したのは、既存の半導体プロセスで作れる相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）発振器。
素子の温度をテストするためのオンチップヒーター、発振器内の温度を測る温度計、周波数特性を補正するためのデジタル回路を加えた回路を構成した。

　素子の出荷時に、内蔵したオンチップヒーターを使って室温から７０度Ｃ程度まで徐々に温度を上げながら周波数特性のズレを測り、必要な補正量を求めておく。
その上で、出荷後の実動作時に温度計で温度を測りながら、デジタル回路で０・１秒ごとに周波数特性のズレを補正する。

続きはソースで

http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720140612eaaa.html
～～引用ここまで～～


引用元: ・【技術】周波数精度「水晶」並みのシリコン半導体発振器を開発、東芝

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1: エタ沈φ ★＠＼(^o^)／ 2014/05/27(火) 23:04:05.81 ID:???.net
ＮＴＴは光を使って高速に読み書きできる新しい光メモリーを開発し、英科学誌ネイチャー・フォトニクスに26日に発表した。光を閉じ込める特殊な微小構造を使い、光信号の情報をそのまま処理する。
電気信号への変換が必要な現行の通信制御機器に比べ、消費電力を100分の１ほどに減らせるという。記録できる容量を増やし、10～15年後の実用化を目指す。

　ネットワークに信号を振り分けるルーターなどの通信制御機器は、光ファイバーで送られてきた光信号を電気信号に変えて処理し、再び光信号に戻している。
信号を変換する作業は効率が悪く、消費電力も大きくなる。
　開発したメモリーは「フォトニック結晶」と呼ぶ特殊な構造を使う。

続きはソースで

http://www.nikkei.com/article/DGXNASGG2301L_W4A520C1TJM000/

NATURE PHOTONICS
Large-scale integration of wavelength-addressable all-optical memories on a photonic crystal chip
http://www.nature.com/nphoton/journal/vaop/ncurrent/full/nphoton.2014.93.html#affil-auth

引用元: ・【技術】ＮＴＴ、光メモリー消費電力100分の１ 電気信号に変換不要

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1: 田中◆nlLqfjR3/kcb 2014/04/15(火)07:31:41 ID:SLo7Djdhm
大手電機メーカーのパナソニックと富士通は、半導体事業の立て直しに向けて経営資源を集中するため、車や家電に使われる「システムＬＳＩ」と呼ばれる主力の半導体の設計・開発部門を統合した新会社を設立し、ことし秋にも事業を開始することで近く合意する見通しとなりました。

パナソニックと富士通は、課題となっている半導体事業の立て直しを図るため自動車や家電などに広く使われる主力の半導体の「システムＬＳＩ」を巡って、両社の設計や開発部門を統合する方向で協議を続けていました。
その結果、両社は日本政策投資銀行の出資も受けて新会社を設立し、ことし秋にも事業を始めることで近く、合意する見通しとなりました。

新会社は、両社と日本政策投資銀行が合わせておよそ５００億円を出資して設立され、主に次世代のテレビ向けや、大量の情報を処理できる高性能サーバー用の半導体の設計や開発を進めることになる見込みです。

（以下略）

全文はこちら　NHK
http://www3.nhk.or.jp/news/html/20140415/k10013741761000.html

パナソニックと富士通、半導体事業で新会社設立への続きを読む
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1: フェイスロック(WiMAX) 2014/03/02(日) 20:55:07.45 ID:B5OttE0s0 BE:1368729582-PLT(12001) ポイント特典
東工大、半導体中を秒速8万mで動きまわる電子を撮影

東京工業大学(東工大)は2月27日、半導体中を秒速8万mで流れる電子を直接観察し、動画撮影することに成功したと発表した。

同成果は、同大大学院 理工学研究科の福本恵紀産学官連携研究員、恩田健流動研究員、腰原伸也教授らによるもの。詳細は、「Applied Physics Letters」オンライン版に掲載された。

半導体材料を利用しているデバイスの動作性能は、半導体中を動き回る電荷キャリア(電子と正孔)の動きやすさに依存している。半導体素子は微小化、高速化し続けているが、その特性を、直接素子内部を動く電流、特に電子を観測することにより、評価する手法は存在しなかった。そこで、研究グループでは、ガリウムヒ素半導体中の20nmスケールの空間領域を移動するキャリアの流れを200fs間隔で可視化できる時間分解光電子顕微鏡を開発した。

高速動作する半導体デバイス内での電子の流れ(電流)を検出するには、100fs程度の極短時間幅のパルス電流を生成、注入して、とらえる必要がある。今回の研究では、約100fs幅のレーザパルスを半導体に照射して、光キャリアを生成した。

これを図1(a)のように、半導体表面に蒸着した2枚の金属電極間に電圧を印加することで動かした。その動く様子を別のレーザパルス(検出光)を半導体試料に照射し、励起電子の密度に由来する光電子放出強度を光電子顕微鏡で撮影した。励起光と検出光の時間的タイミングを変化させていくことで(ポンプ-プローブ法)、電子の移動過程が動画としてストロボ撮影できる。

http://news.mynavi.jp/news/2014/02/28/247/images/001l.jpg
図1 時間分解光電子顕微鏡による電子移動の動画撮影。(a)測定手法の概略。(b)と(c)励起光照射後20psおよび40ps後の光電子顕微鏡像。(d)と(e)は(b)と(c)の中央付近の拡大図。(f)は(d)と(e)の縦方向の強度プロファイルにより、電子の移動が確認できる

（続く）
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「ねぇ、秒速８万ｍなんだって」 「え、なに？」 「半導体中を電子が移動する速度。秒速８万ｍ」の続きを読む
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1: 伊勢うどんφ ★ 2014/02/25(火) 22:09:19.74 ID:???
　ＮＴＴはスーパーコンピューターをパソコン並みに小さくする基礎技術を開発した。情報伝送の担い手をこれまでの電子から光に変える。
光は電子より速く進み、小さな半導体チップで高速の処理ができると説明している。10年後の実用化が目標という。
研究成果を英科学誌ネイチャー・マテリアルズ（電子版）に掲載した。

　半導体の中に、光が行き来する構造を作った。直径170ナノ（ナノは10億分の１）メートルの穴を整然と並べたシリコンの板のうえに、インジウムやリンでできた細線を置いた。

　線を光信号が通る仕組み。データを記録するメモリーや、信号を切り替えるスイッチが同じ製法でできる。

　光で計算結果を高速でやり取りすれば、小型のパソコンでも、スパコン並みの計算速度が出せるという。
光は電子と違って、熱を発生しない。冷却装置も省ける。最先端のスパコンは広大な敷地が必要になるくらい大きい。

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2014/2/24 23:43 日経新聞
http://www.nikkei.com/article/DGXNZO67335170U4A220C1TJM000/

NATURE MATERIALS
Movable high-Q nanoresonators realized by semiconductor nanowires on a Si photonic crystal platform
http://www.nature.com/nmat/journal/v13/n3/full/nmat3873.html

【すごい！】スパコンをパソコン並みに小さくする基礎技術を開発／ＮＴＴの続きを読む
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1: 伊勢うどんφ ★ 2014/02/25(火) 18:41:25.97 ID:???
理化学研究所(理研)と東京大学は2月20日、新物質のトポロジカル絶縁体(Bi1-xSbx)2Te3薄膜とインジウムリン(InP)半導体を接合した素子を用い、トポロジカル絶縁体に特徴的なディラック状態を固体と固体の界面で検出したと発表した。

同成果は、東京大学大学院 工学系研究科 物理工学専攻の吉見龍太郎博士課程大学院生(強相関物性研究グループ 研修生)、菊竹航氏(強相関理論研究グループ 研修生)と、東京大学大学院 工学系研究科の塚﨑敦特任講師(現東北大学 金属材料研究所 教授および理研 客員研究員)、ジョセフチェケルスキー特任講師(現マサチューセッツ工科大学 准教授および理研 客員研究員)、理研 創発物性科学研究センター 強相関界面研究グループの高橋圭上級研究員、川﨑雅司グループディレクター(東京大学大学院 工学系研究科 教授)、強相関物性研究グループの十倉好紀グループディレクター(東京大学大学院 工学系研究科 教授)らによるもの。

詳細は、英国の科学雑誌「Nature Materials」に掲載される予定。

近年見いだされたトポロジカル絶縁体は、内部が絶縁状態で、表面が特殊な金属状態を示す新しい物質である。
特に、表面の金属状態はディラック電子が存在するディラック状態で、光学特性や熱特性、力学特性などに優れたナノ炭素材料のグラフェンにも見られるものである。
ディラック電子は、固体中で質量がなく、不純物の影響も小さいため、従来の半導体よりも高速で固体内を動くことができる。

この特性から、トポロジカル絶縁体は低消費電力素子としての応用が期待され、活発に研究が行われている。
しかし、これまでトポロジカル絶縁体のディラック状態は、真空と固体との境界である表面で実験的に検出されたことはあったが、実際に固体素子へ適用する上で、
必要となる固体と固体との界面では、ディラック状態の検出やその性質についての報告はなかった。

研究グループは、トポロジカル絶縁体の1つである(Bi1-xSbx)2Te3薄膜を既存の半導体材料のインジウムリン(InP)基板上に単結晶成長させ、両者を接合した素子を作製した。
そして、同素子に対して、物質界面の電気的特性を評価し、界面電子の状態を調べることが可能なトンネル伝導測定を行った。


まず、トンネル電流の大きさを磁場と電圧に対して調べた。
その結果、磁場を加えるに伴い、トンネル伝導度の変化量が電圧に対して振動する様子が観測された。
この振動はランダウ量子化と呼ばれる現象によるもので、電子の性質を調べる重要な手掛かりとなる。
さらに、この振動のピーク電圧の磁場変化を調べたところ、磁場の平方根に比例してピーク電圧が変化することが分かった。
この振る舞いはディラック電子に特徴的な振る舞いであり、検出された界面の電子状態がディラック状態であることを示している。

>>2に続く

マイナビニュース 2014/02/21 18:39
http://news.mynavi.jp/news/2014/02/21/477/

プレスリリース
http://www.riken.jp/pr/press/2014/20140220_2/digest/
http://www.riken.jp/pr/press/2014/20140220_2/

Nature Materials
Dirac electron states formed at the heterointerface between a topological insulator and a conventional semiconductor
http://www.nature.com/nmat/journal/v13/n3/abs/nmat3885.html
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トポロジカル絶縁体のディラック状態を固体と固体の界面でも検出、理研などの続きを読む
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